特許

J-GLOBAL ID：200903055558457974

半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

発明者： 古川 泰助 ,  堀川 剛
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-123302
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317463
出願日： 1998年05月06日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 記憶保持特性を保ったままで、書込速度を向上させるトンネル絶縁膜を得ることを主要な目的とする。【解決手段】 基板11の上に、2層構造のトンネル絶縁膜1が設けられている。トンネル絶縁膜1の上に、フローティングゲート2と層間絶縁膜6とコントロールゲート3が設けられている。2層21, 22の性質を変えることにより、トンネル絶縁膜1とフローティングゲート2の間の見かけ上の障壁高さを、トンネル絶縁膜1と基板11の間の見かけ上の障壁高さよりも低くしている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられたフローティングゲートと、前記フローティングゲートの上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に設けられたコントロールゲートと、を備え、前記トンネル絶縁膜と前記フローティングゲートとの間の見かけ上の障壁高さを、前記トンネル絶縁膜と前記基板との間の見かけ上の障壁高さよりも低くしている、半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434