特許
J-GLOBAL ID：200903055558969827

半導体装置の製造方法

発明者：
荻野 正明

荻野 正明 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-362236
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129654
出願日： 2003年10月22日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】溝(トレンチ)の開口部を広げることなく、底部の角部を精度よく大きな曲率にすることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】水酸化カリウム水溶液によって異方性エッチングであるウェットエッチング(KOHエッチング3)を行い、(100)面と54.74°をなす(111)面と(111)面からなるV字形の溝4を半導体基板1に形成し、異方性エッチングであるRIE5によりV字形の溝4内をさらにエッチングして深い溝6とし、CDE7により溝6内壁全体を等方性エッチングして底部のV字頂点の角を丸めて溝8を形成することで、溝の角部を丸めることができる。角部を丸めることで、オフセットドレイン層9での電界集中が抑えられて、リーク電流を小さくすることができる。また、溝9の開口部の幅が広がらないためにオン抵抗が小さくすることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面層に形成した溝と、該溝の壁面に沿うように形成した拡散層を有する半導体装置の製造方法において、 前記溝を形成する箇所を開口したマスクを前記半導体基板の表面に形成する工程と、 該マスクで前記半導体基板に第1の異方性エッチングによりV字形の第1の溝を形成する工程と、 前記マスクで該第1の溝を第2の異方性エッチングにより垂直方向に深い第2の溝を形成する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L29/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065
FI (3件)：
H01L29/78 301D ,  H01L21/306 S ,  H01L21/302 105A
Fターム (30件)：
5F004BA03 ,  5F004DB01 ,  5F004EA04 ,  5F004EA06 ,  5F004EA10 ,  5F004EA29 ,  5F004EA37 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD15 ,  5F043FF01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140AC22 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BH02 ,  5F140BH05 ,  5F140BH15 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH45 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140CB08 ,  5F140CD08 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許5844275号公報
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-111411   出願人：富士電機株式会社

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