特許
J-GLOBAL ID：200903094508733747
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111411
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037267
出願日： 2002年04月15日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ溝の周囲にオフセットドレイン領域を有する横型高耐圧トレンチMOSFETを製造するため、トレンチ溝の周囲に最適な濃度の不純物イオンを注入し、また幅の広いトレンチ溝内を酸化膜で埋めること。【解決手段】 トレンチ溝2の周囲にオフセットドレイン領域3を形成するにあたり、斜めイオン注入によりトレンチ溝2の側面部分にのみ不純物イオンを注入する。また、トレンチ溝2の底面に対し垂直な方向からイオン注入をし、底面部分にのみ不純物イオンを注入する。トレンチ溝内を酸化膜で埋めるにあたり、熱酸化によりトレンチ溝2内を酸化物4で埋めるか、熱酸化によりトレンチ溝内に酸化膜を生成して溝を狭めた後、残った溝を酸化物の堆積により埋める。あるいは、複数のトレンチ溝を形成し、それらの中を酸化物で埋めると共に、トレンチ間の基板部分を熱酸化して酸化膜に変える。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面部分にその表面からトレンチ溝を形成する工程と、前記トレンチ溝の側面に対して斜めに不純物イオンを注入して、前記半導体基板の、前記トレンチ溝の側面に沿う領域に不純物イオンを注入する工程と、前記トレンチ溝の底面に対して垂直に不純物イオンを照射して、前記半導体基板の、前記トレンチ溝の底面に沿う領域に不純物イオンを注入する工程と、注入された前記不純物イオンを拡散させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/225
, H01L 21/265
H01L 21/225 P
, H01L 29/78 301 D
, H01L 21/265 R
, H01L 21/265 V
5F140AA25
, 5F140AC21
, 5F140BA01
, 5F140BH02
, 5F140BH05
, 5F140BH07
, 5F140BH15
, 5F140BH30
, 5F140BH41
, 5F140BH45
, 5F140BH47
, 5F140BH49
, 5F140BK09
, 5F140BK13
, 5F140BK14
, 5F140BK16
, 5F140BK20
, 5F140CD08
