特許

J-GLOBAL ID：200903055597273589

反射光学要素、光学システム及びEUVリソグラフィ装置

発明者： ベドウスキ、マルコ
出願人/特許権者： カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー
代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-505257
公開番号（公開出願番号）：特表2007-507082
出願日： 2004年04月26日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

EUVと軟X線との範囲のための光学要素の最適な反射率を得るために、複数の層から構成されている多層が用いられている。表面の汚染又は劣化は、結像の欠損と伝達の損失とに導いている。従来技術では、表面の好ましくない変化に表面を保護するはずである、反射光学要素の表面上のカバー層システムを与えることにより抗することが試みられてきた。本発明は、カバー層システムの厚さ分布の選択を目標とすることにより表面劣化の影響を制御可能にし、これにより、このカバー層システムの少なくとも1つの層は、0と等しくない勾配を有している。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの層を有するカバー層システムを備え、空間的な構造がデカルト座標系(x,y,z)においてz=z(x,y)で記述されることができる、極紫外線並びに/もしくは軟X線波長領域のための反射光学要素(1)において、前記カバー層システム(6)の空間座標の関数としてのカバー層システムの少なくとも1つの層の厚さ分布d=d(x,y)は、0に等しくない勾配を有することを特徴とする反射光学要素。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G02B 5/08

FI (2件)：

H01L21/30 531A ,  G02B5/08 A

Fターム (7件)：

2H042DA08 ,  2H042DA18 ,  2H042DB02 ,  2H042DD10 ,  2H042DE00 ,  5F046GA03 ,  5F046GB01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• EUVスペクトル中で使用するパターン描画装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-271663   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション