特許
J-GLOBAL ID：200903090763842317
EUVスペクトル中で使用するパターン描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271663
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213312
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 本発明はEUVスペクトル中で使用するパターン描画装置を提供する。【解決手段】 減衰位相マスクの動作原理が、極紫外放射とともに使用するための反射性構造に組込まれている。0.18μm 及びそれ小さいパターンとともに使用するための動作中の投影縮小システムは、全反射性光学系とマスクを組合せている。
請求項（抜粋）：
マスクパターンは描画放射を選択的に透過及び阻止するために、透明領域及び阻止領域を含み、阻止領域は位相遅延を課しながら、入射描画放射の一部を透過するような構成と厚さをもち、それによってその一部は透明領域を通過した部分に対し、約180°位相がシフトし、干渉が壊れることにより、パターン端部規定が改善される0.25μm より小さい最小寸法のパターンを含む投影像を生成させるためのマスクパターンを含むリソグラフィマスクにおいて、マスクはその反射率が多層分布反射層に依存した反射性基板を含む反射性マスクで、阻止領域は反射性基板を入射放射からマスクし、阻止領域の厚さは放射が片道通過する毎に約90°の位相シフトを課すようなもので、阻止領域の厚さ及び屈折率は150nmないし3nmの波長範囲内の波長をもつ放射に、この位相シフトを課すようなものであること、を特徴とするマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 531 M
, H01L 21/30 531 A
