特許

J-GLOBAL ID：200903055602007680

半導体装置の製造方法

発明者： 内山 敬太
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-383635
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150285
出願日： 2003年11月13日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜とSi基板の界面特性とゲート電極からのボロン拡散のバリア性の両立ができるような、2nm以下のシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を実現する。【解決手段】ベースとなるシリコン酸化膜を形成する。次いで、プラズマにより発生させた窒素ラジカルまたは窒素イオンでシリコン酸化膜に窒素を導入しシリコン酸窒化膜を形成する。次いで、シリコン酸窒化膜の最大の窒素濃度ピーク位置までウェットエッチングを行う。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 上記半導体基板上に設けられたゲート電極と、 上記半導体基板と上記ゲート電極との間にシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法であって、 半導体基板上にベースとなるシリコン酸化膜を形成する第1の工程と、 上記シリコン酸化膜にプラズマで発生させた窒素ラジカルまたは窒素イオンで窒素を導入しシリコン酸窒化膜を形成する第2の工程と、 上記シリコン酸窒化膜をその最大の窒素濃度ピーク位置まで除去する第3の工程と、 を含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/318 ,  H01L29/78

FI (2件)：

H01L21/318 C ,  H01L29/78 301G

Fターム (23件)：

5F058BA05 ,  5F058BC11 ,  5F058BD15 ,  5F058BF52 ,  5F058BF74 ,  5F058BH03 ,  5F058BH11 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE11 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• MIS型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-016250   出願人：ソニー株式会社