特許
J-GLOBAL ID:200903055620921127

多層構造における層の特性を測定するための装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大島 陽一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-553787
公開番号(公開出願番号):特表2002-517750
出願日: 1999年06月09日
公開日(公表日): 2002年06月18日
要約:
【要約】層の特性(例えば、シート抵抗または熱伝導率)を以下の方法、即ち(1)加熱ビームを導電性層の或る領域に集束させ、(2)発生した熱の少なくとも大部分(好ましくは全て)が拡散により加熱された領域から出ることを確実にするに十分なだけ低く選択された所定に周波数で、加熱ビームのパワーを変調し、(3)(a)加熱された領域によって反射され、かつ(b)加熱ビームの変調と同相で変調された別のビームのパワーを測定する方法により測定する。所定の量(例えば10%)より大きく測定値が変化したときは、測定値が正常値に戻るように加工プロセスパラメータを変更する。
請求項(抜粋):
基板の一部の特性を決定する方法であって、 所定の周波数で変調された電磁放射の第1ビームを生成する生成過程(201)と、 前記基板上の領域に前記第1ビームを集束させる集束過程であって、前記領域によって反射されない前記第1ビームの光子のエネルギーは熱に変換され、前記所定の周波数が、前記熱の大部分を拡散によって前記領域から伝達させるに十分なだけ低い周波数である、該集束過程と、 電磁放射の第2ビームのうち、前記領域によって反射され、かつ前記第1ビームと同相で変調された一部のパワーを測定する測定過程とを含むことを特徴とする基板の一部の特性を決定する方法。
IPC (4件):
G01N 21/84 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/956 ,  G01N 25/18
FI (4件):
G01N 21/84 Z ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/956 A ,  G01N 25/18 H
Fターム (30件):
2G040AA00 ,  2G040AB09 ,  2G040BA18 ,  2G040BA26 ,  2G040CB03 ,  2G040EA04 ,  2G040EC04 ,  2G051AA51 ,  2G051AB20 ,  2G051BA05 ,  2G051BA06 ,  2G051BA10 ,  2G051CB01 ,  2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059EE02 ,  2G059EE15 ,  2G059GG01 ,  2G059GG02 ,  2G059GG06 ,  2G059HH01 ,  2G059HH03 ,  2G059HH05 ,  2G059JJ02 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  2G059MM01 ,  2G059PP10
引用特許:
審査官引用 (2件)
引用文献:
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