特許

J-GLOBAL ID：200903055630657720

絶縁シリコン基板並びにそれを用いたインダクタおよび分布定数型フィルタ

発明者： 小野 敏明
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-346486
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183468
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 入手が容易で安価であり、導体の微細加工を行うためのフォトリソグラフィの技術が適用出来るシリコン基板を用いて、MHz帯ないしGHz帯で用いるインダクタ及び分布定数型フィルタを形成する。【構成】 シリコン基板1にN型シリコン基板ではP型不純物を、P型シリコン基板ではN型不純物を、シリコン基板の片面又は両面から、イオン注入又は選択拡散等により、棒状、格子状、角形状、丸形状等N型層とP型層とを交互に形成して、シリコン基板内にPN接合の空乏層を形成して、過電流に対する高い電気絶縁抵抗を有するシリコン基板1にし、シリコン基板上に例えば帯状導体3、4の間に強誘電体層5を形成し積層して分布定数型フィルタとする。

請求項（抜粋）：

N型シリコン基板の片面又は両面よりP型不純物をイオン注入又は選択拡散等により所定の形状に注入するか、又はP型シリコン基板の片面又は両面よりN型不純物をイオン注入又は選択拡散等により所定の形状に注入し形成したPN接合の空乏層により、シリコン基板内に高周波誘導電圧に対し小さな区画に区切った高電気絶縁層を形成してなることを特徴とする絶縁シリコン基板。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-028796
  
• LC素子及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-342846   出願人：池田毅, 岡村進