特許

J-GLOBAL ID：200903055631606797

ファインパターン回路及びその形成方法

発明者： 奥寺 正晴 ,  長瀬 勝美 ,  友寄 壱
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041950
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236903
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 絶縁基板との密着力が高く、かつ回路抵抗が低い微細な導電パターンを有するファインパターン回路を提供すること、及びかかるファインパターン回路を簡単な工程で安価に製造し得る方法を提供することを目的とする。【構成】 ファインパターン回路に関しては、絶縁基板1上にパラジウム又は酸化パラジウムと亜鉛酸化物との合金からなる薄膜2を形成し、この薄膜2上に銅層4を析出するという構成にした。ファインパターン回路の形成方法に関しては、絶縁基板1上にパラジウム又は酸化パラジウムと亜鉛酸化物との合金からなる薄膜を均一な厚さに成膜した後、これをフォトエッチングして所望の回路パターンを形成し、次いで、この回路パターン上にのみ導体を選択的に析出させて、所望の導体回路を形成するという構成にした。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、微細な導電パターンより構成される導体回路を形成してなるファインパターン回路において、前記絶縁基板と導体回路との間に、パラジウム又は酸化パラジウムと亜鉛酸化物との合金からなる薄膜を介在させたことを特徴とするファインパターン回路。

IPC (4件)：

H05K 3/18 ,  C23C 14/34 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/38

FI (4件)：

H05K 3/18 B ,  C23C 14/34 A ,  H05K 1/09 A ,  H05K 3/38 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 回路基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-139403   出願人：藤嶋昭, 橋本和仁