特許

J-GLOBAL ID：200903055649264389

半導体装置およびその製造方法

発明者： 牧田 直樹 ,  宮本 忠芳 ,  渋谷 司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-053077
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250740
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流が少なく均一で信頼性の高い高性能半導体素子を実現し、簡便で高歩留りな製造プロセスとする。【構成】 結晶性を有するケイ素膜を利用した活性領域が、絶縁表面を有するガラス基板101上に構成された半導体装置であって、この活性領域は、非晶質ケイ素膜にその結晶化を助長する触媒元素を導入し、加熱により結晶化された何本もの柱状結晶により構成された第1結晶性ケイ素膜103aを得た後、その上層に非晶質ケイ素膜を設け、これに加熱処理を施して結晶化させて第2結晶性ケイ素膜107aを得ることで、第1結晶性ケイ素膜103aから触媒元素量を低減させるなど高品質化させている。これを半導体装置の活性領域として用いる。

請求項（抜粋）：

結晶性を有するケイ素膜を利用した半導体活性領域を有する半導体装置において、該結晶性を有するケイ素膜中における結晶化触媒元素の濃度が1×1014atoms/cm3〜5×1017atoms/cm3である半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 618 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体回路およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067982   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-271703   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所