半導体薄膜の作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271703
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213316
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】ニッケルを用いて結晶化させた珪素膜中のニッケル元素を減少させる技術を提供する。【構成】ガラス基板101上に形成された非晶質珪素膜103にニッケルを微量に導入し、加熱により結晶化させる。この際、結晶化した珪素膜105中にはニッケル元素が残留している。そこで、結晶化した珪素膜105の表面に非晶質珪素膜107を形成し、さらに加熱処理を行う。この加熱処理を行うことによって、非晶質珪素膜107中にニッケル元素が拡散し、結晶化した珪素膜105中のニッケル濃度を下げることができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜中に金属元素を導入する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を得る工程と、前記結晶性珪素膜上に前記金属元素を拡散させる膜を形成する工程と、前記金属元素を拡散させる膜中に前記金属元素を拡散させる工程と、前記金属元素を拡散させた膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体薄膜の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/322

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079002 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭60-119733
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347134 出願人：日本電気株式会社

全件表示

前のページに戻る