特許

J-GLOBAL ID：200903055658910650

基板処理装置

発明者： 中野 稔
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 石戸 久子 ,  ▲橋▼場 満枝 ,  赤澤 日出夫 ,  山口 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-285229
公開番号（公開出願番号）：特開2004-115904
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】環境温度を測定し、環境温度の変動に対応した温度制御を行うことにより、反応室の外部温度変動に対する基板の温度変動の影響を小さくし、バッチ間の基板の膜厚均一性を確保し、品質を向上させる。【解決手段】反応室10の外部に、この周辺温度を測定可能な環境温度測定用熱電対42を設け、環境温度測定用熱電対42の測定温度に基づいて目標温度を補正し、補正した目標温度とプレートヒータ16の測定温度又は基板保持用サセプタの測定温度との偏差がゼロになるようにフィードバック制御を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

反応室と、前記反応室を加熱するヒータと、前記ヒータを加熱制御して前記反応室の温度制御を行う温度制御手段とを備える基板処理装置において、 前記反応室外部の周辺温度を測定する環境温度測定手段を備え、前記温度制御手段は、前記環境温度測定手段による測定結果に基づいて、前記ヒータへの制御出力値を補正することを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

C23C16/52 ,  H01L21/205

FI (2件)：

C23C16/52 ,  H01L21/205

Fターム (11件)：

4K030JA16 ,  4K030KA08 ,  4K030KA23 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045DP03 ,  5F045EK22 ,  5F045EK29 ,  5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体製造装置の温度制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157634   出願人：国際電気株式会社
• 特開昭62-203332
  
• 特開昭63-033815