特許
J-GLOBAL ID：200903055695441171

溶液処理

発明者：
ヘニング シリンガス

ヘニング シリンガス について

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リチャード ヘンリー フレンド

リチャード ヘンリー フレンド について

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川瀬 健夫

川瀬 健夫 について


出願人/特許権者：
プラスティック ロジック リミテッド

プラスティック ロジック リミテッド について

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セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-547679
公開番号（公開出願番号）：特表2003-518756
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：
【要約】複数の領域に導電性材料あるいは半導電性材料を含む電子素子を基板上に形成する方法であって、この素子の動作は、第1の領域から第2の領域への電流を使用し、この方法は、この材料を液体と混合することによって混合物を形成し、この基板の第1の領域の第1のゾーンと、この基板の第2の領域の第2のゾーンであって、この第1のゾーンがこの第2のゾーンよりも大きいこの混合物に対する撥水性を有することと、この第1の領域だけこの第2の領域から離隔されたこの基板の第3の領域の第3のゾーンとを含む閉じ込め構造をこの基板上に形成することであって、この第1のゾーンがこの第3のゾーンよりも大きいこの混合物に対する撥水性を有することと、この基板の上にこの混合物を塗布することによってこの材料をこの基板上に付着することとを含み、それによってこの付着された材料が、この素子のこの第1および第2の領域を規定し、かつこの第1のゾーンの相対的な撥水性によってその平面で電気的に分離される領域を離隔され、かつこの付着された材料の離隔された領域間に第1のゾーンを横切る電流に抵抗するようにこの基板の第1の領域がないようにこの第1のゾーンの相対的な撥水性によって制限できる。
請求項（抜粋）：
複数の領域に導電性材料あるいは半導電性材料を含む電子素子を基板上に形成する方法であって、前記素子の動作が、第1の領域から第2の領域への電流を使用するものにおいて、前記方法が、 前記材料を液体と混合することによって混合物を形成し、 前記基板の第1の領域の第1のゾーンと、前記基板の第2の領域の第2のゾーンであって、前記第1のゾーンが前記第2のゾーンよりも大きい前記混合物に対する撥水性を有することと、前記第1の領域だけ前記第2の領域から離隔された前記基板の第3の領域の第3のゾーンとを含む閉じ込め構造を前記基板上に形成することであって、前記第1のゾーンが前記第3のゾーンよりも大きい前記混合物に対する撥水性を有することと、 前記基板の上に前記混合物を塗布することによって前記材料を前記基板上に付着することとを含み、 それによって前記付着された材料が、前記素子の前記第1および第2の領域を規定し、かつ前記第1のゾーンの相対的な撥水性によってその平面で電気的に分離される領域を離隔され、かつ前記付着された材料の離隔された領域間に前記第1のゾーンを横切る電流に抵抗するように前記基板の前記第1の領域がないように前記第1のゾーンの相対的な撥水性によって制限できることを特徴とする複数の領域に導電材料あるいは半導電性材料を含む電子素子を基板上に形成する方法。
IPC (7件)：
H01L 21/288 ,  B41J 2/01 ,  B41J 2/05 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786
FI (9件)：
H01L 21/288 Z ,  H01L 21/28 A ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 V ,  B41J 3/04 101 Z ,  B41J 3/04 103 B
Fターム (43件)：
2C056FB01 ,  2C057AH20 ,  2C057AJ05 ,  2C057AJ10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE41 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK31 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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