半導体装置及びその製造方法、並びに電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207078
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026241
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】半導体チップのスルーホールにバンプを挿入した後に加圧して電極と接合して電気的に導電状態にするとともに、半導体チップと熱可塑性フイルムを中空ブロックに挿入し、中空ブロックを加熱して熱可塑性フイルムを溶融接合させることにより、半導体チップを積層して多層化した製造が容易で絶縁性が良く、小型の半導体装置およびその製造方法、ならびにこれを用いた電子機器を提供する。【解決手段】複数の半導体チップを積層して多層化した半導体装置である。半導体チップにスルーホールをあけるとともに、スルーホールに入るボールバンプを挿入する。バンプは、加圧、あるいは、加圧と加熱によりバンプを電極と接合し、各半導体チップを電気的に接続した構成とするものである。

請求項（抜粋）：

複数の半導体チップを積層して多層化した半導体装置において、半導体チップにスルーホールをあけるとともに、スルーホールに入るバンプを挿入し、加圧、あるいは、加圧と加熱によりバンプを電極と接合し、各半導体チップを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/52

FI (2件)：

H01L 25/08 B , H01L 23/52 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-293658
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-335351 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

前のページに戻る