特許
J-GLOBAL ID：200903055712137511
ラジカルの制御方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205690
公開番号（公開出願番号）：特開平9-185999
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 プラズマによって発生されるラジカルの密度および組成を高精度に制御する方法に関するものであり、薄膜電子デバイスの製造および新素材の創製、開発プロセスに用いられる方法を提供するにある。本発明を利用できる分野は、プラズマを用いたCVD、ドライエッチング装置およびラジカルビーム、ラジカルCVD・エッチング装置等である。【解決手段】 プラズマ発生装置により形成されるプラズマによる反応性ガスの分解によって生成されるラジカルを制御するに当たり、プラズマによる反応性ガスの分解によって生成されるラジカルの密度および組成を測定し、プラズマ発生装置の電力を一定の周期にてパルス変調し、該パルス変調のデュティー比を、前記測定結果に基づいて制御することによってラジカルの密度および組成を制御する。
請求項（抜粋）：
プラズマ発生装置により形成されるプラズマによる反応性ガスの分解により生成されるラジカルを制御するに当たり、反応性ガスの分解により生成されるラジカルの密度および組成を測定し、上述したプラズマ発生用装置の電力を一定の周期にてパルス変調し、該パルス変調のデューティ比を変化させることによりラジカルの密度および組成を制御することを特徴とするラジカルの制御方法。
IPC (8件)：
H05H 1/00
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01J 27/18
, H01J 37/08
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/203
H05H 1/00 A
, C23C 16/50
, C23F 4/00 E
, C23F 4/00 D
, C23F 4/00 A
, H01J 27/18
, H01J 37/08
, H01L 21/205
, H01L 21/203 S
, H01L 21/302 A
