特許
J-GLOBAL ID：200903055720971946
半導体光素子接合構造及びその接合部の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-256019
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102649
出願日： 1995年10月03日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 導波型半導体素子相互を接続する突き合わせ結合部の作製を行う半導体光素子接合部の構造及び製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板100上に半導体積層構造101を形成すると共に該半導体積層構造101と接する上部半導体層102を形成して、第1の導波型半導体素子103を形成してなり、上部半導体層102の一部に絶縁膜104を形成し、上部半導体層102の絶縁膜104で覆われていない部分をエッチングし、上部半導体層102に対して半導体積層構造101のみを選択にエッチングするエッチング液を用いて、上部半導体層102が一部エッチングされた第1の導波型半導体素子103をエッチングして庇形状Hを形成してなり、且つ第2のエッチング工程によりエッチングされた第1の導波型半導体素子103が形成されている半導体基板100上面側及び前記庇形状Hの上部半導体層102の裏面側に第2の導波型半導体素子の結晶110a,110bを成長して第2の導波型半導体素子110を形成し、半導体素子相互を接続してなる。
請求項（抜粋）：
2つの導波型半導体光素子を光学的に接続する突き合わせ結合部の接合構造において、半導体基板上に半導体積層構造を形成すると共に該半導体積層構造と接する上部半導体層を形成して、第1の導波型半導体素子を形成してなると共に、前記上部半導体層の一部に絶縁膜を形成し、前記上部半導体層の前記絶縁膜で覆われていない部分をエッチングし、更に前記上部半導体層に対して前記半導体積層構造のみを選択にエッチングするエッチング液を用いて、前記上部半導体層が一部エッチングされた前記第1の導波型半導体素子をエッチングして前記絶縁膜と上部半導体層とからなる庇形状を形成してなり、且つ、 前記第2のエッチング工程によりエッチングされた第1の導波型半導体素子が形成されている半導体基板上面側及び前記庇形状の上部半導体層の裏面側に第2の導波型半導体素子の結晶を成長して第2の導波型半導体素子を形成し、半導体素子相互を接続してなることを特徴とする半導体光素子接合構造。
IPC (2件)：
H01S 3/18
, G02F 1/015 505
H01S 3/18
, G02F 1/015 505
