特許

J-GLOBAL ID：200903055740735777

III-V族窒化物半導体発光素子

発明者： 向井 孝志 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-269279
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130327
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 III-V族窒化物半導体よりなる発光素子の発光スペクトルの半値幅を小さくして色純度を上げる。【構成】 互いに導電型の異なるIII-V族窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されて発光層を備えるIII-V族窒化物半導体発光素子において、発光層4を構成するIII-V族窒化物半導体層よりもバンドギャップの小さい層88、88’が、発光層ではない層に少なくとも一層以上形成されていることにより、小バンドギャップ層88、88’に短波長成分を吸収させる。

請求項（抜粋）：

互いに導電型の異なるIII-V族窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されて発光層を備えるIII-V族窒化物半導体発光素子において、前記発光層を構成するIII-V族窒化物半導体層よりもバンドギャップの小さい層が、発光層ではない層に少なくとも一層以上形成されていることを特徴とするIII-V族窒化物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079046   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開昭57-079683