特許

J-GLOBAL ID：200903055757351174

磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法

発明者： 浅井 滋生 ,  佐々 健介 ,  谷口 貴久
出願人/特許権者： 名古屋大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-040804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-239887
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
要約：

【要約】【課題】 電析または無電解析出による薄膜の製造に際し、析出膜の結晶方位を効果的に制御して、例えば熱電変換効率、耐食性および耐摩耗性等に優れた機能性材料を提供する。【解決手段】 電解状態の物質を基板上に電析または無電解析出させるに際し、電析または無電解析出環境に対して所定の方向の磁場を印加する。

請求項（抜粋）：

電解状態の物質を基板上に電析または無電解析出させるに際し、電析または無電解析出環境に対して所定の方向の磁場を印加することを特徴とする、磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法。

IPC (2件)：

C25D 5/00 101 ,  C23C 26/00

FI (2件)：

C25D 5/00 101 ,  C23C 26/00 Z

Fターム (7件)：

4K024AA05 ,  4K024BA09 ,  4K024CA16 ,  4K024CB26 ,  4K044AA06 ,  4K044BA06 ,  4K044CA57

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電着めっき装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-208419   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭59-104495