特許

J-GLOBAL ID：200903055790169357

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 野口 隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186653
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037112
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 チャネル幅の比較的大なる薄膜トランジスタにおいても、充分そのキャリアの移動方向を横切る方向の粒界の発生を抑制して、より確実に活性層内の膜質を均一化してトランジスタの移動度μ等のばらつきを抑えて、薄膜トランジスタの高性能化をはかる。【構成】 基板1上に少なくとも非晶質半導体層3を形成した後、非晶質半導体層3の活性領域が形成される領域に、キャリアの移動方向と垂直な方向に延長する線状パターンに輻射線を照射して線状に結晶成長核を形成した後、低温加熱により固相結晶成長して単結晶領域14を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも非晶質半導体層を形成した後、上記非晶質半導体層の活性領域が形成される領域に、キャリアの移動方向と垂直な方向に延長する線状パターンに輻射線を照射して線状に結晶成長核を形成した後、低温加熱により固相結晶成長して単結晶領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-057615
  
• 特開昭64-057615