特許

J-GLOBAL ID：200903055801392118

半導体装置の製造方法

発明者： 船川 和彦 ,  西山 明
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 平木 道人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342010
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169718
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 片持ちばりを有する半導体装置の製造方法において、ダイシングに係る工程での半導体装置の破損を防止する。【構成】 試料台3上に、接着性を有するワックス2を塗布する[同図(a) ]。次いで、ワックス2上にウエハ1を載置し、ウエハ1を試料台3に対して固定する。次いで、ウエハ1の各半導体チップ領域に、加速度に応じて自由端が変位する片持ちばりを形成する[同図(b) ]。次いで、ウエハ1が固着されたままの試料台3をサイシング・ソーに載置し、各半導体チップ領域の境界部を縦横にダイシングする。次いで、ウエハ1が固着されたままの試料台3を溶液中に浸漬してワックスを溶解させ、各半導体チップの固着状態を解消する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一部を選択的に蝕刻して形成されたスリットを有する半導体装置の製造方法において、半導体ウエハの一方の主表面と平面状の試料台とを粘着体で一様に固着する工程と、半導体ウエハの一部を選択的に蝕刻して、各半導体装置領域にスリットを形成する工程と、各半導体装置領域の境界部をダイシングする工程と、前記粘着体を溶解して各半導体装置を試料台から分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (4件)：

H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 R ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-130647
  
• 特開平4-069949
  
• 基板の分割方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-108760   出願人：山武ハネウエル株式会社
• 薄膜半導体センサチップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-232672   出願人：神奈川県, トキコ株式会社