光学装置

発明者： , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：大野聖二 , 森田耕司 , 田中玲子 , 山田勇毅 , 北野健
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-533677
公開番号（公開出願番号）：特表2005-537628
出願日： 2003年09月03日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

次の各工程を含む光学装置の形成方法。すなわち、第1のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第1電極を含む基板を提供し、第1電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基のない蒸着時に溶媒に溶解する第1の半導体材料を蒸着することによって、溶媒に少なくとも部分的に溶解する第1層を形成し、溶媒中の溶液から第2半導体材料を蒸着して、第1層に接触し第2の半導体材料を含む第2層を形成し、第2層上に、第2タイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極を形成し、ここで、第1の半導体材料の蒸着に続いて、第1層が加熱、真空及び外気乾燥処理の1又は2以上によって、少なくとも部分的に不溶性に変えられる光学装置の形成方法。

請求項（抜粋）：

次の各工程を含む光学装置の形成方法であって、第1のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第1電極を含む基板を提供し、第1電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基がなく、蒸着時に可溶性の第1の半導体材料を蒸着することによって、溶媒に少なくとも部分的に溶解する第1層を形成し、溶媒中の溶液から第2の半導体材料を蒸着して、第1層に接触し第2の半導体材料を含む第2層を形成し、第2層上に、第2のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極を形成し、ここで、第1の半導体材料の蒸着に続いて、第1層が加熱、真空及び外気乾燥処理の1又は2以上によって、少なくとも部分的に不溶性に変えられる光学装置の形成方法。

IPC (5件)：

H05B33/10 , C08G61/08 , C08G61/12 , H05B33/14 , H05B33/22

FI (5件)：

H05B33/10 , C08G61/08 , C08G61/12 , H05B33/14 A , H05B33/22 D

Fターム (8件)：

3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4J032CA14 , 4J032CA43 , 4J032CC01 , 4J032CC03 , 4J032CG01

引用特許：

出願人引用 (2件)

国際公開99/48160号パンフレット
米国特許第6107452号明細書

審査官引用 (7件)

薄膜EL素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-369868 出願人：松下電器産業株式会社
アセチレン基を含む有機化合物、その蒸着重合法、その蒸着重合薄膜及びその薄膜を使用した電気発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-171926 出願人：財団法人韓國化學研究所
色変換膜及びそれを用いた発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-097604 出願人：富士写真フイルム株式会社

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