特許
J-GLOBAL ID:200903055836669023

光学装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  田中 玲子 ,  山田 勇毅 ,  北野 健
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-533677
公開番号(公開出願番号):特表2005-537628
出願日: 2003年09月03日
公開日(公表日): 2005年12月08日
要約:
次の各工程を含む光学装置の形成方法。すなわち、第1のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第1電極を含む基板を提供し、第1電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基のない蒸着時に溶媒に溶解する第1の半導体材料を蒸着することによって、溶媒に少なくとも部分的に溶解する第1層を形成し、溶媒中の溶液から第2半導体材料を蒸着して、第1層に接触し第2の半導体材料を含む第2層を形成し、第2層上に、第2タイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極を形成し、ここで、第1の半導体材料の蒸着に続いて、第1層が加熱、真空及び外気乾燥処理の1又は2以上によって、少なくとも部分的に不溶性に変えられる光学装置の形成方法。
請求項(抜粋):
次の各工程を含む光学装置の形成方法であって、 第1のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第1電極を含む基板を提供し、 第1電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基がなく、蒸着時に可溶性の第1の半導体材料を蒸着することによって、溶媒に少なくとも部分的に溶解する第1層を形成し、 溶媒中の溶液から第2の半導体材料を蒸着して、第1層に接触し第2の半導体材料を含む第2層を形成し、 第2層上に、第2のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極を形成し、 ここで、第1の半導体材料の蒸着に続いて、第1層が加熱、真空及び外気乾燥処理の1又は2以上によって、少なくとも部分的に不溶性に変えられる光学装置の形成方法。
IPC (5件):
H05B33/10 ,  C08G61/08 ,  C08G61/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (5件):
H05B33/10 ,  C08G61/08 ,  C08G61/12 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 D
Fターム (8件):
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4J032CA14 ,  4J032CA43 ,  4J032CC01 ,  4J032CC03 ,  4J032CG01
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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