特許
J-GLOBAL ID:200903080191407074

薄膜EL素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-369868
公開番号(公開出願番号):特開2001-203081
出願日: 1999年12月27日
公開日(公表日): 2001年07月27日
要約:
【要約】【課題】 一般に用いられているトリフェニルジアミンなどの左右対称な構造を有する正孔輸送材料を用いた正孔輸送層と電子輸送性発光層とを積層した構成の素子では、高効率、低駆動電圧、長寿命な素子を実現するのが困難であった。【解決手段】 透明基板上に、少なくとも透明正孔注入電極と、前記透明正孔注入電極上に塗布により形成された透明導電層と、超薄膜電子ブロック層と、発光層と陰極とを有する素子構成により優れた素子性能を得る。特に特定の超薄膜電子ブロック層を用いることで卓越した素子性能を得ることができる。
請求項(抜粋):
透明基板上に、少なくとも透明正孔注入電極と、前記透明正孔注入電極上に塗布により形成された透明導電層と、超薄膜電子ブロック層と、発光層と陰極とを有する薄膜EL素子。
IPC (4件):
H05B 33/22 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28
FI (6件):
H05B 33/22 D ,  H05B 33/22 A ,  H05B 33/22 C ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28
Fターム (19件):
3K007AB00 ,  3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EA02 ,  3K007EB00 ,  3K007EC02 ,  3K007EC03 ,  3K007EC04 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  3K007GA02
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る