特許
J-GLOBAL ID：200903055851402874

非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、電子機器

発明者：
永野 大介

永野 大介 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-057434
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251845
出願日： 2004年03月02日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 プラスチック基板を用いて軽量化を図りつつ、プロセス時の基板変形を防止することのできる非線形素子の製造方法を提供する。【解決手段】 可撓性を有するプラスチック基板10上に非線形素子(例えばTFD13)を形成する場合に、まず、係るプラスチック基板10の上に、マスクスパッタ法や液滴吐出法を用いて、陽極酸化のための通電用の配線膜141をライン状に形成する。この際、配線膜141の材料としては、陽極酸化可能で且つ膜応力の小さい材料、例えばアルミニウム等の弁金属を含む導電材料を用いる。次に、この配線膜141の表面に、マスクスパッタ法や液滴吐出法を用いて、TFD13の下電極の本体部となる電極膜142を前記ラインに沿って複数形成する。そして、この配線膜141を使って各電極膜142の表面を一括して陽極酸化し、得られた陽極酸化膜18の表面に、TFD13の上電極11を形成する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
可撓性を有するプラスチック基板上に第1の導電膜,絶縁膜,第2の導電膜を備える非線形素子の製造方法であって、 前記第1の導電膜の形成工程が、材料膜を所定の領域にのみ選択的に堆積可能な方法を用いて、前記第1の導電膜を素子の形成される領域に対して選択的に堆積させる工程を含むことを特徴とする、非線形素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L49/02 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205
FI (3件)：
H01L49/02 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/88 M
Fターム (42件)：
2H090HA01 ,  2H090HB07Y ,  2H090HC12 ,  2H090JB03 ,  2H090LA01 ,  2H090LA03 ,  2H090LA04 ,  2H090MB01 ,  2H092GA11 ,  2H092JA01 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092MA05 ,  2H092MA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA02 ,  2H092PA05 ,  2H092PA08 ,  2H092PA12 ,  2H092RA10 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA36 ,  5C094BA04 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA06 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EB01 ,  5C094GB10 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26
引用特許：
出願人引用 (1件)

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