強誘電体薄膜素子の作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007073
公開番号（公開出願番号）：特開平11-199393
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】【課題】組成が安定に制御でき、表面が光学的に均一かつ平滑であり、高い結晶性を有する強誘電体薄膜を形成することにより、光導波路構造を有する素子に利用可能な単結晶状の強誘電体薄膜素子の作製方法を提供すること。【解決手段】単結晶基板上に有機金属化合物からなる強誘電体前駆体を塗布して薄膜を形成する塗布工程と、該薄膜を熱分解させる熱分解工程と、所定の成長温度へ昇温して強誘電体薄膜を固相エピタキシャル成長させる成長工程と、を単数或いは複数回行う強誘電体薄膜素子の作製方法において、強誘電体薄膜の組成が0<x<0.2、0.52<y<1の範囲のPb<SB>1-x </SB>La<SB>x </SB>(Zr<SB>y </SB>Ti<SB>1-y</SB>)<SB>1-x/4 </SB>O<SB>3 </SB>であり、強誘電体前駆体がPb<SB>1-x </SB>La<SB>x </SB>(Zr<SB>y </SB>Ti<SB>1-y </SB>)<SB>1-x/</SB><SB>4 </SB>O<SB>3 </SB>の化学量論組成より過剰のPbを含み、成長工程の成長温度が650°C以上であることを特徴とする強誘電体薄膜素子の作製方法である。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に有機金属化合物からなる強誘電体前駆体を塗布して薄膜を形成する塗布工程と、該薄膜を熱分解させる熱分解工程と、それに続いて所定の成長温度へ昇温して強誘電体薄膜を固相エピタキシャル成長させる成長工程と、を単数回あるいは複数回行う強誘電体薄膜素子の作製方法において、強誘電体薄膜の組成が、0<x<0.2、0.52<y<1の範囲のPb<SB>1-x</SB>La<SB>x </SB>(Zr<SB>y </SB>Ti<SB>1-y </SB>)<SB>1-x/4 </SB>O<SB>3 </SB>であり、強誘電体前駆体が、Pb<SB>1-x </SB>La<SB>x </SB>(Zr<SB>y </SB>Ti<SB>1-y </SB>)<SB>1-x/4 </SB>O<SB>3 </SB>の化学量論組成より過剰のPbを含み、成長工程の成長温度が、650°C以上であることを特徴とする強誘電体薄膜素子の作製方法。

IPC (7件)：

C30B 29/32 , H01B 3/00 , H01B 3/12 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5件)：

C30B 29/32 D , H01B 3/00 F , H01B 3/12 301 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

配向性強誘電体薄膜素子の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-170892 出願人：富士ゼロックス株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

LEE J S, KIM C J, YOON D S, CHOI C G, NO K, KIM J M
LEE J S, KIM C J, YOON D S, CHOI C G, NO K, KIM J M

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