リグニン誘導体を用いた光電変換素子及び光電気化学電池

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：特許業務法人アイテック国際特許事務所 , 伊神広行 , 田中敏博 , 中村敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032891
公開番号（公開出願番号）：特開2004-265622
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】リグニン誘導体を利用した光電変換素子を提供する。【解決手段】薄膜電極として(a)リグニン含有材料をフェノール化合物で溶媒和後、酸を添加し混合して得られるリグノフェノール誘導体、(b)リグノフェノール誘導体に対して、アセチル基、カルボキシル基、アミド基、架橋性基等の導入反応、またはアルカリ処理反応の反応を行って得られる二次誘導体、(c)リグノフェノール誘導体に対して、上記の導入反応またはアルカリ処理反応の2種以上の反応を行って得られる高次誘導体、(d)前記二次誘導体のうち架橋性基導入反応により得られる二次誘導体が架橋されている二次誘導体の架橋体、(e)前記高次誘導体のうち、架橋性基導入反応を経て得られる高次誘導体が架橋されている高次誘導体の架橋体、からなる群から選択される1種あるいは2種以上のリグニン誘導体によって増感された半導体層を有している光電変換素子。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

以下の(a)〜(e)からなる群から選択される1種あるいは2種以上のリグニン誘導体によって増感された半導体膜を用いた光電変換素子。 (a)リグニン含有材料をフェノール化合物で溶媒和後、酸を添加し混合して得られるリグニンのフェノール化合物であるリグノフェノール誘導体 (b)リグノフェノール誘導体に対して、アシル基導入反応、カルボキシル基導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択される1種の反応を行って得られる二次誘導体 (c)リグノフェノール誘導体に対して、アシル基導入反応、カルボキシル基導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択される2種以上の反応を行って得られる高次誘導体 (d)前記二次誘導体のうち架橋性基導入反応により得られる二次誘導体が架橋されている二次誘導体の架橋体 (e)前記高次誘導体のうち、架橋性基導入反応を経て得られる高次誘導体が架橋されている高次誘導体の架橋体

IPC (2件)：

H01M14/00 , H01L31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P , H01L31/04 Z

Fターム (15件)：

5F051AA07 , 5F051AA14 , 5F051BA11 , 5F051CB13 , 5F051FA03 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032BB02 , 5H032BB07 , 5H032EE01 , 5H032EE04 , 5H032EE16

引用特許：

出願人引用 (1件)

光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-193942 出願人：三菱製紙株式会社

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