エピタキシャル膜付きSiCウエハ及びその製造方法並びにSiC電子デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-080295
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277193
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】 SiCウエハ及びエピタキシャル膜中に欠陥及び転位をほとんど含有しないエピタキシャル膜付きSiCウエハ及びその製造方法,並びにオン抵抗が低く,逆方向リーク電流の発生がほとんどないSiC電子デバイスを提供すること。【解決手段】第1成長工程においては,{1-100}面からオフセット角度20°以下の面,または{11-20}面からオフッセット角度20°以下の面を第1成長面として第1成長結晶を作製し,連続成長工程においては,第(n-1)成長面より45〜90°傾き,且つ{0001}面より60〜90°傾いた面を第n成長面として第n成長結晶を作製し,上記成膜工程においては,n=Nである第N成長結晶から成膜面35を露出させたSiCウエハ3を作製し,該成膜面35上にエピタキシャル膜30を成膜する。

請求項（抜粋）：

SiC単結晶よりなる種結晶上にSiC単結晶を成長させてバルク状のSiC単結晶を製造し,該SiC単結晶からSiCウエハを作製して該SiCウエハの成膜面上にエピタキシャル膜を成膜しエピタキシャル膜付きSiCウエハを製造する方法において,該製造方法は,N回(Nは,N≧2の自然数)の成長工程と,該成長工程後にエピタキシャル膜を成膜する成膜工程とを含み,上記成長工程における各成長工程を第n成長工程(nは自然数であって1から始まりNで終わる序数)として表した場合,n=1である第1成長工程においては,{1-100}面からオフセット角度20°以下の面,または{11-20}面からオフッセット角度20°以下の面を第1成長面として露出させた第1種結晶を用いて,上記第1成長面上にSiC単結晶を成長させ第1成長結晶を作製し,n=2,3,...,N回目である連続成長工程においては,第(n-1)成長面より45〜90°傾き,且つ{0001}面より60〜90°傾いた面を第n成長面とした第n種結晶を第(n-1)成長結晶より作製し,該第n種結晶の上記第n成長面上にSiC単結晶を成長させて第n成長結晶を作製し,上記成膜工程においては,n=Nである第N成長結晶から成膜面を露出させたSiCウエハを作製し,該SiCウエハの上記成膜面上にエピタキシャル膜を成膜することを特徴とするエピタキシャル膜付きSiCウエハの製造方法。

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DB04 , 4G077DB07 , 4G077EA02 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077FG11 , 4G077HA06 , 4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-326933 出願人：株式会社デンソー
SiC単結晶の育成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-356074 出願人：住友金属鉱山株式会社
SiC単結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-286956 出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (1件)

炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-326933 出願人：株式会社デンソー

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