特許

J-GLOBAL ID：200903055875489954

エピタキシャル薄膜の形成方法

発明者： 中畑 匠
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-045822
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249451
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 成長温度およびガス原料の流量を制御し、平坦なエピタキシャル薄膜を選択的に形成する方法を提供する。【解決手段】 成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を制御して、半導体基板上に選択的にエピタキシャル薄膜を形成する方法は、所定の温度条件下で、成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を変化させることによって、エピタキシャル薄膜の成長速度とガス原料の流量との関係を求める工程を備える。エピタキシャル薄膜の成長速度とガス原料の流量との関係を求める工程は、供給律速領域4a、4bと反応律速領域6b、6cと中間領域5bとを求める工程を含む。さらにエピタキシャル薄膜を形成する方法は、中間領域5bの流量でガス原料を供給して半導体基板上にエピタキシャル薄膜を形成する工程を備える。

請求項（抜粋）：

成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を制御して、半導体基板上に選択的にエピタキシャル薄膜を形成する方法であって、所定の温度条件下で、前記成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を変化させることによって、前記エピタキシャル薄膜の成長速度と前記ガス原料の流量との関係を求める工程を備え、前記エピタキシャル薄膜の成長速度と前記ガス原料の流量との関係を求める工程は、前記エピタキシャル薄膜の成長速度が前記ガス原料の流量に、ほぼ比例する供給律速領域と、前記エピタキシャル薄膜の成長速度が、ほぼ一定である反応律速領域と、前記供給律速領域と前記反応律速領域の間に位置する中間領域とを求める工程を含み、さらに、前記中間領域の流量でガス原料を供給して前記半導体基板上に前記エピタキシャル薄膜を形成する工程を備えた、エピタキシャル薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 301 S

Fターム (36件)：

4K030AA06 ,  4K030BA09 ,  4K030BA44 ,  4K030BB02 ,  4K030BB06 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA12 ,  4K030JA20 ,  4K030LA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DB02 ,  5F045DP05 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG20 ,  5F140BH06 ,  5F140BK18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-076355   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-074415
  
• 特開平3-280529