特許
J-GLOBAL ID：200903055893161893
イオン注入プロセスチャンバのためのスキャンホイール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-503541
公開番号（公開出願番号）：特表2001-510929
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：
【要約】複数の半導体ウェハを運ぶために適用されるイオン注入装置のためのスキャンホイールに関する。スキャンホイールは、その軸の周りに回転可能であり、前記スキャンホイールは、中央ハブと、この中央ハブにマウントされ放射状に外側に伸びる複数の別個なスポークアームと、及び前記各スポークアームの外端部に形成される複数のウェハ支持エレメントとを含む。各スポークアームは、回転方向にウェハ支持エレメントの寸法に対応するより実質的に小さい寸法をそれぞれ有し、ほぼ回転方向に伸びる前面及びこの前面から背後に伸びる側面をそれぞれ有する。各側面は、前記前面の後部突出部を越えて外側に伸びず、前記後部突出部は、前記回転軸に関して各側面が断面で好適には7 ゚対称的に内側に先細状である。
請求項（抜粋）：
複数の半導体ウェハを運ぶために適用される、イオン注入装置のためのスキャンホイールであって、 前記スキャンホイールはその軸の周りに回転可能であり、注入装置で生成されるイオンビームを横切ってホイールに運ばれるウェハをスキャニングし、前記スキャンホイールは、中央ハブと、この中央ハブにマウントされ放射状に外側に伸びる複数の別個なスポークアームと、及び前記各スポークアームの外端部に形成される複数のウェハ支持エレメントとを含み、前記各ウェハ支持エレメントは半導体ウェハをマウントする前面を含み、前記スポークアームは、回転方向にウェハ支持エレメントの寸法に対応するより実質的に小さい寸法をそれぞれ有し、前記スポークアームは、ほぼ回転方向に伸びる前面及びこの前面から背後に伸びる側面をそれぞれ有し、ここで、各ウェハ支持エレメントの内端部から内側に少なくとも所定の半径距離以上において、前記各側面は、前記前面の後部突出部を越えて外側に伸びない主要部を有し、前記後部突出部は、前記回転軸に関して各側面が断面で好適には7 ゚対称的に内側に先細状であるスキャンホイール。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01L 21/265 603
H01J 37/317 B
, C23C 14/48 Z
, H01L 21/265 603 D
4K029DE00
, 4K029JA01
, 5C034CC07
, 5C034CC12
