トンネル磁気抵抗素子を利用した半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156184
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257175
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】メモリセルの書込時の書込電流を正確に出力できるように、そして書込マージン及び読出マージンの温度依存性を排除するようにした、メモリセルとしてTMR素子を使用した半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ビット線22またはワード線29に直交するようにメインビット線31またはメインワード線32を配置して、メインビット線またはワードビット線を選択するためのメモリセルアレイ16の外側にメインビット線セレクタ35またはメインワード線セレクタ38をメモリセルアレイの外側に配置するように、半導体記憶装置10を構成する。

請求項（抜粋）：

階層マトリックス状に配置された複数個のトンネル磁気抵抗素子からなるメモリセルアレイと、一方向に並んだメモリセルに対して電流を流す複数本のビット線と、ビット線を横切るように他方向に並んだメモリセルに対して電流を流す複数本のワード線と、を備えており、選択されたメモリセルに対して、Xデコーダによりワード線を選択し、Yデコーダによりビット線を選択して、選択したビット線およびワード線に電流を流すことにより、その交点に位置する当該メモリセルに対して合成磁場によりデータ書込を行なうようにした半導体記憶装置であって、書込電流源からの書込電流を各ビット線に供給するためのメインビット線が、各ビット線に対して直交するように配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 11/15 130 , G11C 11/15 120 , G11C 11/15 140 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/15 130 , G11C 11/15 120 , G11C 11/15 140 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (10件)：

5F083FZ10 , 5F083GA15 , 5F083KA03 , 5F083KA06 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA10 , 5F083LA12 , 5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

薄膜磁性体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-389058 出願人：三菱電機株式会社

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