特許

J-GLOBAL ID：200903055908141797

半導体装置

発明者： 簗瀬 三郎
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133671
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330605
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】超高速用のバイポーラ・トランジスタ構造を有した保護ダイオードのリーク電流の発生頻度を低減して半導体集積回路の歩留りを向上させる。【構成】第1導電型の半導体基体上に第2導電型埋込層を介して半導体エピタキシャル層が形成され、前記半導体エピタキシャル層の表面に選択的に形成される半導体酸化膜により互いに電気的に離間する島領域が形成され、これらの島領域に半導体素子が形成される半導体装置であって、高濃度不純物を含む層を有しないベース領域に形成される電位取出し電極とエミッタ領域に形成される電極とが短絡され一方の端子を構成し且つ接地電位に固定され前記第2導電型埋込層からの取出し領域に設けられるコレクタ電極が他方の端子となる保護ダイオードを有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基体上に第2導電型埋込層を介して半導体エピタキシャル層が形成され、前記半導体エピタキシャル層の表面に選択的に形成される半導体酸化膜により互いに電気的に離間する島領域が形成され、これらの島領域に半導体素子が形成される半導体装置であって、高濃度不純物を含む層を有しないベース領域に形成される電位取出し電極とエミッタ領域に形成される電極とが短絡され且つ接地電位に固定されて一方の端子を構成し、前記第2導電型埋込層からの取出し領域に設けられるコレクタ電極が他方の端子を構成してなる保護ダイオードを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/861 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/866

FI (6件)：

H01L 29/91 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 B ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/90 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-051556
  
• 特開昭50-139677
  
• 半導体入力保護装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279522   出願人：日本電気株式会社