特許

J-GLOBAL ID：200903055919597857

磁気トンネル接合センサ用の低モ-メント/高飽和保磁力ピン層

発明者： ハルダヤル・シン・ギル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227028
公開番号（公開出願番号）：特開2000-067418
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 高飽和保磁力磁性体を使用して逆平行(AP)ピンMTJセンサの磁化方向を固定する、改良型の磁気抵抗トンネル接合(MTJ)センサを提供すること。【解決手段】 磁気トンネル接合(MTJ)装置は、磁気ディスク・ドライブ内の磁界センサとして、または 磁気ランダム・アクセス(MRAM)アレイ内のメモリ・セルとして使用可能である。このMTJ装置は、第1の強磁性層、第2の強磁性層、および第1の強磁性層と第2の強磁性層の間に配置された逆平行結合(APC)層を含む強磁性逆平行(AP)ピン層と;強磁性フリー層と;APピン層の第1の強磁性層と強磁性フリー層の間に配置された絶縁トンネル障壁層とを有する。

請求項（抜粋）：

逆平行(AP)ピン層と、強磁性体のフリー層と、トンネル障壁層とを含み、前記逆平行(AP)ピン層が、第1の飽和保磁力を有する磁性体から作られた第1の強磁性層と、前記第1の飽和保磁力よりも大きな絶対値の第2の飽和保磁力を有する磁性体から作られ、前記APピン層の磁化方向を固定する第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層の間に配置された逆平行結合(APC)層とを含み、前記トンネル障壁層が、前記第1の強磁性層と前記フリー層の間に配置される、磁気トンネル接合(MTJ)センサ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• スピン・バルブ磁気抵抗素子及び関連する装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-057549   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション