特許

J-GLOBAL ID：200903055922049984

半導体装置

発明者： 中川 清和 ,  宮尾 正信 ,  杉井 信之 ,  木村 嘉伸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-069725
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274315
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、Si系4族半導体で高移動度素子および高効率光素子、OEICを可能とすることにある。【解決手段】 Si基板上に、これと格子整合しないSiGeバッファ層を臨界層厚以上の厚さで形成し、その上にSi層とSiGe層とを積層してなる半導体領域を形成する。半導体領域は、上記SiGeバッファ層に擬似的に格子整合させることで、これを構成するSi層とSiGe層の夫々に応力を加える。このようにして上記多層膜に印加される応力を制御することで、電子をSi層に、正孔をSiGe層に夫々有効に閉じこめることが可能となる。【効果】 上述の半導体領域を電子デバイスのチャネル領域、又は光デバイスの光学活性領域にすることで、高移動度電界効果素子および高効率光素子を実現し、また、これらを夫々の性能を犠牲にすることなくモノリシックに集積化することができる。

請求項（抜粋）：

Si基板と、該Si基板上部にこれと格子不整合で且つ臨界膜厚より厚く形成されたSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶層(0<x<1)と、該Si<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶層上にSi層とSi<SB>1-Y</SB>Ge<SB>Y</SB>混晶層(x<y<1)とをこの順にSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶層に格子整合させて積層された半導体領域とを有し、上記Si基板上に上記半導体領域のSi層を電子のチャネルとするnチャネル型の電界効果素子と該半導体領域のSi<SB>1-Y</SB>Ge<SB>Y</SB>混晶層を正孔のチャネルとするpチャネル型の電界効果素子とが形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/161 ,  H01L 31/12

FI (6件)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/15 D ,  H01L 27/15 B ,  H01L 31/12 B ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 29/163