リ-ドオンリメモリ及びその製造方法及びリ-ドオンリメモリ読み出し方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047045
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317501
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】高密度リードオンリメモリを実現する。【解決手段】メモリアレイをアクセスするために用いられるデコーダ及びセレクタを、メモリアレイレイヤーの上部あるいは下部に位置する別のレイヤーに配置させることによって高密度リードオンリメモリが実現される。本発明の一側面に従って、デコーダから行配線への接続は行配線の端部のみに限定されず、その代わりに行配線に沿った任意のところでなされ得る。同様に、セレクタから列配線への接続も列配線の端部のみに限定されず、その代わりに列配線に沿った任意のところでなされ得る。付加回路はメモリアレイの周囲には必要とされず、より小さいメモリデバイスが実現される。加えて、メモリアレイを読み出す際のクロストークを低減するために、本発明に係るメモリデバイスは単一の活性行配線を用いて番地を設定され、一度に一列配線のみ読み出される。

請求項（抜粋）：

あるレイヤに配置されたリードオンリメモリセルよりなる二次元アレイ;及び、メモリセルの前記二次元アレイの少なくとも一部を選択するロウデコーダ;を有するリードオンリメモリにおいて、前記ロウデコーダがリードオンリメモリセルよりなる前記二次元アレイの前記レイヤとは相異なったレイヤに配置されていることを特徴とするリードオンリメモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/10 401 , G11C 17/18

FI (2件)：

H01L 27/10 401 , G11C 17/00 306

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-056454
特開昭63-098132
特開平3-295273

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