特許

J-GLOBAL ID：200903055925000978

面発光型半導体レーザ素子

発明者： 岩井 則広 ,  品川 達志 ,  横内 則之
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221025
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037335
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 DBRミラーで発生する歪(応力)を低減して、信頼性の良好な面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本面発光型半導体レーザ素子は、一対の下部多層膜反射鏡、及び上部多層膜反射鏡を半導体基板上に有する垂直共振器型の半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の多層膜反射鏡が、半導体基板の格子定数より格子定数が大きい化合物半導体層と、半導体基板の格子定数より格子定数が小さい化合物半導体層とのペアで形成され、かつペアを構成する化合物半導体層のバンドギャップ波長が、レーザ発振波長より小さい。

請求項（抜粋）：

一対の下部多層膜反射鏡、及び上部多層膜反射鏡を半導体基板上に有する垂直共振器型の面発光型半導体レーザ素子において、少なくとも一方の多層膜反射鏡が、半導体基板の格子定数より格子定数が大きい化合物半導体層と、半導体基板の格子定数より格子定数が小さい化合物半導体層とのペアで形成され、かつペアを構成する化合物半導体層のバンドギャップ波長がレーザ発振波長より小さいことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

Fターム (8件)：

5F073AA65 ,  5F073AB17 ,  5F073CA14 ,  5F073CA19 ,  5F073CB02 ,  5F073EA06 ,  5F073EA07 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-017582   出願人：富士ゼロックス株式会社