特許
J-GLOBAL ID：200903062232148226
半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-017582
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349393
出願日： 2000年01月26日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】格子不整合材料を用いて形成した良好な結晶品質の擬似格子整合層を有する半導体デバイスを提供する。【解決手段】 GaN結晶層基板11上に、n型Al0.5Ga0.5N引張り歪み層12A(下側)とn型Ga0.9In0.1N圧縮歪み層12B(上側)を16.5周期成長し、n型DBRミラー12を形成し、その上にノンドープのGaNスペーサ層13と活性領域14とを成長し、その上にノンドープのGaNスペーサ層15を成長する。スペーサ層15上にp型Al0.5Ga0.5N引張り歪み層16A(下側)とp型Ga0.9In0.1N圧縮歪み層16B(上側)を12周期成長し、p型DBRミラー16を形成して、面発光型半導体レーザを作製する。
請求項（抜粋）：
面内方向における結晶固有の格子定数がa0の半導体結晶からなる半導体基礎層と、面内方向における結晶固有の格子定数がa0より大きい半導体結晶からなる第1の層と面内方向における結晶固有の格子定数がa0より小さい半導体結晶からなる第2の層とを含み、第1の層に発生した格子歪みと第2の層に発生した格子歪みとが逆方向の歪みとなるように第1の層及び第2の層を半導体基礎層上にエピタキシャル成長させることによって擬似格子整合させた擬似格子整合層と、キャリアの再結合、発生、及び移動のいずれかの機能を発現する機能発現層と、を有する半導体デバイス。
IPC (3件)：
H01S 5/183
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01S 5/183
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323
5F041AA40
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA39
, 5F041CA40
, 5F041CB15
, 5F073AA65
, 5F073AB17
, 5F073CA07
, 5F073CA12
, 5F073CA13
, 5F073CA14
, 5F073CA17
, 5F073DA35
