特許

J-GLOBAL ID：200903055951931467

Ruターゲットおよびその製造方法

発明者： 赤井 誠 ,  村田 英夫 ,  平木 明敏
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-318465
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144395
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 熱間静水圧プレスを用いる際の充填密度を向上させ、熱間静水圧プレス中の不均一な変形や割れの発生を防止でき、且つ良好な組織を有する純Ruターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 相対密度99%以上、純度99.99%以上の粉末焼結体からなるRuターゲットを得る製法として、還元Ru粉末を粉砕処理した後、密閉容器に封入して、熱間静水圧プレスを行い、相対密度99%以上に調整する。好ましくは、粉砕処理は体積平均径で50μm以下に粉砕するRuターゲットの製造方法である。

請求項（抜粋）：

相対密度99%以上、純度99.99%以上の粉末焼結体からなることを特徴とするRuターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  B22F 1/00 ,  B22F 3/15 ,  B22F 9/04 ,  C22C 1/04 ,  C23C 14/14

FI (6件)：

C23C 14/34 A ,  B22F 1/00 K ,  B22F 9/04 C ,  C22C 1/04 E ,  C23C 14/14 D ,  B22F 3/14 M

Fターム (14件)：

4K017AA03 ,  4K017BA02 ,  4K017CA07 ,  4K017DA09 ,  4K018AA02 ,  4K018BA01 ,  4K018BB04 ,  4K018BC08 ,  4K018EA13 ,  4K018KA29 ,  4K029AA02 ,  4K029BA02 ,  4K029DC03 ,  4K029DC09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高純度ルテニウムの製造方法および薄膜形成用高純度ルテニウム材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-219014   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• Ru薄膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-009341   出願人：三菱マテリアル株式会社