特許
J-GLOBAL ID：200903041761428814
高純度ルテニウムの製造方法および薄膜形成用高純度ルテニウム材料
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-219014
公開番号（公開出願番号）：特開平11-050163
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：
【要約】【目的】 高純度ルテニウム酸化物薄膜形成用材料の原料等の用途に適した、Na,K等のアルカリ金属、Fe,Ni等の重金属、U,Th等の放射性元素の含有率の低い、高純度ルテニウムの製造方法を開発すること。さらに、低抵抗でスパッタリングの際のパーティクルの発生をも低減することの可能な薄膜形成用高純度ルテニウム材料を提供すること。【構成】 粗ルテニウム粉に次亜塩素酸を添加しながらオゾン含有ガスを吹き込むことにより四酸化ルテニウムを生成させた後、該四酸化ルテニウムを塩酸溶液に吸収させ、さらにその溶液を蒸発乾固し、得られRuOCl3 結晶を水素雰囲気中で焙焼する。これにより、アルカリ金属元素各1ppm未満、アルカリ土類金属元素各1ppm未満、遷移金属元素各1ppm未満、放射性元素各10ppb未満、炭素及びガス成分元素(酸素、水素、窒素、塩素)合計で500ppm未満、ガス成分元素を除いたルテニウムの純度が99.995%以上の薄膜形成用高純度ルテニウム材料を得ることができる。
請求項（抜粋）：
粗ルテニウム粉に次亜塩素酸または次亜塩素酸塩を添加しながらオゾン含有ガスを吹き込むことにより四酸化ルテニウムを生成させた後、該四酸化ルテニウムを塩酸溶液に吸収させ、さらにその溶液を蒸発乾固し、得られたRuOCl3 結晶を水素雰囲気中で焙焼することを特徴とする高純度ルテニウムの製造方法。
IPC (5件)：
C22B 11/06
, C23C 14/06
, C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 27/10 451
C22B 11/06
, C23C 14/06 Z
, C23C 14/34 A
, H01L 21/203 S
, H01L 27/10 451
