特許
J-GLOBAL ID:200903055961862293

多層配線構造体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅野 中
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-125016
公開番号(公開出願番号):特開平9-307234
出願日: 1996年05月20日
公開日(公表日): 1997年11月28日
要約:
【要約】【課題】 耐熱性,低誘電率,低熱膨張率等の優れた特性を有し、さらにフォトレジストと同様なプロセスで高精度かつ微細なヴィアホールを形成できる高性能かつ高密度な多層配線構造体を提供する。【解決手段】 絶縁基板2上に、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解したコーティング溶液を塗布し、その半硬化膜40を形成し、この表面を所定の表面粗度に粗化する。この粗化面上に金属化合物溶液を塗布,熱処理した後、再び上記樹脂のいずれかを溶解したコーティング溶液を塗布,ベーキング後、露光,現像を行い、配線パターン45を得る。配線パターン状の露出金属化合物層を還元,置換パラジウムめっき,無電解めっきにより導体43を形成する。続いて、この上に同様に樹脂層を形成後表面粗化,金属化合物層を形成し、この上に樹脂層のヴィアパターン46の形成,導体53の形成を行う。以下、層間絶縁膜工程と導体配線工程を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造体を得る。
請求項(抜粋):
基板表面上に層間絶縁樹脂層と導体パターンが交互に順次形成された多層配線構造を有し、導体パターン形成予定部分が予め表面粗化され、該部分にウェットプロセスによる導体パターンが形成されており、上記粗化面の平均粗さ(Ra),最大粗さ(Ry)および導体厚さ(T)が、 0.2≦Ra≦0.6〔単位:μm〕 (1) 0.02≦Ra/T≦0.2 (2) 0.05≦Ry/T≦0.5 (3)の関係を満足するものであることを特徴とする多層配線構造体。
IPC (3件):
H05K 3/46 ,  H05K 3/38 ,  H05K 1/03 610
FI (5件):
H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/38 A ,  H05K 1/03 610 H
引用特許:
審査官引用 (4件)
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