半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-278587
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121740
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、LDD構造を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法に関し、ソース/ドレイン領域を形成するための工程数を減らし、かつ接合深さのより浅いソース/ドレイン領域を形成する。【解決手段】低濃度のソース/ドレイン領域を形成すべき領域の半導体基板11上に第1の絶縁膜16a,16bを形成し、高濃度のソース/ドレイン領域を形成すべき領域の半導体基板11上に半導体膜18a〜18dを形成する工程と、キャリアを供給する不純物をイオン注入により半導体膜18a〜18d中に導入するとともに、第1の絶縁膜16a,16bと半導体膜18a〜18dとを通して半導体基板11中に導入する工程と、加熱処理を行い、半導体膜18a〜18d中の不純物を半導体基板11に拡散させるとともに、半導体膜18a〜18d中及び半導体基板11中の不純物を活性化する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜とその上のゲート電極と、該ゲート電極の両側の半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域であって、前記ゲート電極に近い側が低濃度となっており、前記ゲート電極から遠い側で高濃度となっているソース/ドレイン領域とを有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタを作成する半導体装置の製造方法において、前記低濃度のソース/ドレイン領域を形成すべき領域の半導体基板上に第1の絶縁膜を形成し、前記高濃度のソース/ドレイン領域を形成すべき領域の半導体基板上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体基板及び前記半導体膜に電子又は正孔からなるキャリアを供給する不純物をイオン注入により前記半導体膜中に導入するとともに、前記第1の絶縁膜と前記半導体膜とを通して前記半導体基板中に導入する工程と、加熱処理を行い、前記半導体膜中の不純物を前記半導体基板に拡散させるとともに、前記半導体膜中及び前記半導体基板中の不純物を活性化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 27/08 321 E , H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-097321 出願人：日本電気株式会社

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