特許

J-GLOBAL ID：200903055991157055

パワー半導体素子

発明者： 弘津 研一 ,  原田 真 ,  柴田 俊和
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-103351
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291860
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 高電圧を印加しても素子表面で沿面放電を生じて絶縁破壊するようなことのないパワー半導体素子を提供する。【解決手段】 基板1の両主表面にそれぞれ沿って配置された動作部2および動作部の一種である動作部電極7を備えるパワー半導体素子において、動作部2および動作部電極7をそれぞれ挟むように各前記主表面上にすり鉢状の補強絶縁層4a,4bを配置し、そのすり鉢状の内面に沿うように曲面電極5を備える。さらに好ましくは、補強絶縁層4a,4bと基板1とが、界面における微小な空隙なく密着するように、両者の機械的圧縮または界面への接着剤の充填を施す。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の両主表面にそれぞれ沿って配置された動作部と、一方の主表面の前記動作部を挟むように前記基板の前記一方の主表面上に配置され、前記一方の主表面の動作部を挟む方向に平行で前記基板に垂直な断面の輪郭が前記基板の前記一方の主表面に向かって凸であるすり鉢状の内面を有する補強絶縁層と、前記すり鉢状の内面上に前記内面に沿うように配置されたガイド電極と、前記基板の他方の主表面の前記動作部を挟むように前記他方の主表面上に配置された平面電極とを備えたパワー半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 29/41 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/44 E ,  H01L 29/50 U ,  H01L 29/50 J ,  H01L 29/74 B

Fターム (13件)：

4M104AA03 ,  4M104EE11 ,  4M104FF10 ,  4M104FF26 ,  4M104FF37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18 ,  5F005AD01 ,  5F005BA01 ,  5F005BB02 ,  5F005GA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プレーナ型半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-146845   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭57-112034
  
• 特開昭61-135162