特許

J-GLOBAL ID：200903056015188996

Cu2O膜、その成膜方法及び太陽電池

発明者： 椎野 修 ,  吉川 雅人
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-312615
公開番号（公開出願番号）：特開2006-124753
出願日： 2004年10月27日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】酸化数が精密に制御されたNドープCu2O膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたCu2O膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。【解決手段】カバー26内部に透明基板1を導入し、アルゴン中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー26内に導入する。ターゲット電極20A,20Bに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット21a,21bから粒子がスパッタされ、基板1上にCu2O膜よりなるp層3が形成する。コリメータ30a,30bを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりPEM31a,31bに取り込まれる。このPEM31a,31bを用いてプラズマ中の銅の発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

反応性スパッタ法によってCu2O膜を成膜する方法において、 酸素ガス及び窒素ガスを含む雰囲気にて銅又は酸化銅よりなるターゲットを用いてスパッタすることにより、NドープCu2O膜を成膜することを特徴とするCu2O膜の成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C14/34 N ,  C23C14/08 H ,  H01L31/04 E

Fターム (19件)：

4K029BA43 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC16 ,  4K029DC33 ,  4K029DC39 ,  4K029EA05 ,  4K029EA06 ,  5F051AA10 ,  5F051CA02 ,  5F051CA13 ,  5F051CA37 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051DA05 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びその製造方法、並びにこの半導体電極を有する太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-314333   出願人：株式会社ブリヂストン