EL素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-345201
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134788
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】反射層を利用してEL素子の輝度を絶縁耐圧を低下させることなく向上させ、印加電圧を高くさせない構成のEL素子を提供すること。【解決手段】Al、Ag、Cu、Au、Ni、Ta、W 、Moなどの金属は反射率がよいためEL素子10の輝度を向上させるので、透明電極の外側に薄い絶縁性物質の層3を介して光反射面2を持つ。絶縁性物質の層3を薄く、例えば5μm以下に形成するため、多重像が形成されることなく光取り出し側へ反射されて、輝度が向上する。絶縁性物質としてはSiON、SiN 、SiO2、Ta2O5 、Al2O3 などの絶縁体単体または複数種の絶縁体が積層された層で形成することができ、また、低屈折率絶縁層と高屈折率絶縁層との干渉を利用した反射増加膜や、光反射面の材料の陽極酸化膜でも絶縁性物質の層は形成できる。光反射面は絶縁性基板のどちら側に形成してもよく、裏側にする場合、100 μm以下に絶縁性基板の厚みを薄くする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に透明第一電極、透明第二電極からなる電極対と、該電極対の間に透明第一絶縁層、発光層、透明第二絶縁層が積層され形成されているEL素子において、前記電極対のうち、光取り出し方向とは反対側の電極の外側に透明な絶縁性物質を介して光反射面を有することを特徴とするEL素子。

IPC (2件)：

H05B 33/24 , H05B 33/22

FI (2件)：

H05B 33/24 , H05B 33/22

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-163794
薄膜電場発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-224466 出願人：富士電機株式会社
特開平4-126391

全件表示

前のページに戻る