特許
J-GLOBAL ID：200903056030641214

水溶性蛍光半導体ナノ結晶

発明者：
バウエンディ,モウンギ,ジー.

バウエンディ,モウンギ,ジー. について

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ミクレク,フレデリック,ブイ.

ミクレク,フレデリック,ブイ. について

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リー,ジン-キュ

リー,ジン-キュ について


出願人/特許権者：
マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー

マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571265
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525394
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：
【要約】光放出可能な水溶性半導体ナノ結晶を提供する。該ナノ結晶は、選択されたバンドギャップエネルギー、該半導体ナノ結晶より大きいバンドギャップエネルギーを有する半導体物質からなるコアをオーバーコートするシェル層、ならびに、オーバーコーティングシェル層への分子の付着用の少なくとも一つの結合基、および、必要であれば、疎水性領域での電荷移動を防ぐのに十分な疎水性領域により結合着から離れて間隔があけられる少なくとも一つの親水性基を有する分子からなる外層を有する半導体ナノ結晶を含む。
請求項（抜粋）：
エネルギー放出が可能な水溶性半導体ナノ結晶であって、 選択されたバンドギャップエネルギーを有する半導体ナノ結晶コア; 該半導体ナノ結晶コアをオーバーコートするシェル層(該シェルは、該コアのものより大きいバンドギャップエネルギーを有する半導体物質を含む); ナノ結晶への付着用の少なくとも一つの結合基を含む第一部分および少なくとも一つの親水性基を含む第二部分を有する分子を含む外層を含む、水溶性半導体ナノ結晶。
IPC (18件)：
C09K 11/08 ,  C09K 11/02 ,  C09K 11/55 ,  C09K 11/56 CPA ,  C09K 11/56 CPB ,  C09K 11/56 CPC ,  C09K 11/56 CPQ ,  C09K 11/56 CPW ,  C09K 11/56 CPY ,  C09K 11/56 CPZ ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/64 ,  C09K 11/66 ,  C09K 11/70 ,  C09K 11/74 ,  C09K 11/75 ,  C09K 11/88 ,  C09K 11/89
FI (19件)：
C09K 11/08 G ,  C09K 11/08 J ,  C09K 11/02 Z ,  C09K 11/55 ,  C09K 11/56 CPA ,  C09K 11/56 CPB ,  C09K 11/56 CPC ,  C09K 11/56 CPQ ,  C09K 11/56 CPW ,  C09K 11/56 CPY ,  C09K 11/56 CPZ ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/64 ,  C09K 11/66 ,  C09K 11/70 ,  C09K 11/74 ,  C09K 11/75 ,  C09K 11/88 ,  C09K 11/89
Fターム (21件)：
4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CC01 ,  4H001CC13 ,  4H001CC14 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA51 ,  4H001XA52 ,  4H001XA80 ,  4H001XA82
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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