特許
J-GLOBAL ID：200903056034547883
アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104165
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294480
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 弱いグロー放電プラズマにおいても目的とする広い光学バンドギャップを有するp層用p型アモルファスシリコンカーボンの製造方法を供給することを目的とする。【解決手段】 i層にアモルファスシリコン系薄膜を含有するp-i-n接合型太陽電池の製造方法において、p層となるp型アモルファスシリコンカーバイドを作製するに際し、原料ガスにおけるシリコン原子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の割合を0.1〜0.3とすること特徴とする。
請求項（抜粋）：
i層にアモルファスシリコン系薄膜を含有するp-i-n接合型太陽電池の製造方法において、p層となるp型アモルファスシリコンカーバイドを作製するに際し、原料ガスにおけるシリコン原子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の割合を0.1〜0.3とすることを特徴とするアモルファスシリコン系太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 V
, H01L 21/205
