特許

J-GLOBAL ID：200903056045004636

リチウム化電極製造方法、本方法により得られるリチウム化電極、ならびに、この使用

発明者： サロ、ラファエル ,  ラフォルジュ、バンジャマン ,  ブーシェ、アンリ
出願人/特許権者： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
代理人 (5件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-523136
公開番号（公開出願番号）：特表2008-508671
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

本発明は、リチウム化電極の製造方法に関し: 基材上での、複数層の非リチウム化電極材料および複数層のリチウムの沈着であって、交互の非リチウム化電極材料層およびリチウム層からなり、1層の非リチウム化電極材料で始まり終わっている積層体を形成させるための沈着; こうして形成された積層体の熱アニール化を含む。 本発明は、本方法により得られるリチウム化電極、ならびに、本電極の使用にも関する。薄層リチウム電池の実現であり、特に、マイクロ電池の実現であり、チップカード、<<知能>>タグ、ホログラム物品、微細化通信機器、マイクロシステム;エレクトロクロミズム電池もしくは薄層超容量コンデンサーの実現である。

請求項（抜粋）：

リチウム化電極の製造方法であって: 基材上での、複数層の非リチウム化電極材料および複数層のリチウムの沈着であって、交互の非リチウム化電極材料層およびリチウム層からなり、非リチウム化電極材料層で始まり終わっている積層体を形成させるための沈着;ならびに こうして形成された多層の熱アニール化 を含む、方法。

IPC (1件)：

H01M 4/04

FI (4件)：

H01M4/02 108 ,  H01M4/02 109 ,  H01M4/02 113 ,  H01M4/02 112

Fターム (16件)：

5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA02 ,  5H050CA05 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CA11 ,  5H050CB01 ,  5H050CB11 ,  5H050GA02 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-086796   出願人：松下電器産業株式会社
• リチウム二次電池用負極とその製造方法、およびその負極を用いてなるリチウム二次電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-117895   出願人：三菱電線工業株式会社