ダイナミツクRAMの読み出し回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312078
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028761
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】大規模容量化、低消費電力化、動作安定化を図ったDRAM読みだし回路の提供。【構成】共通のデータ線選択信号YS1で制御される第1のスイッチQ3と、第1のスイッチQ3と共通に、直列に接続された第2のスイッチ対Q1,Q2を有し、第1のスイッチQ3に、第1のスイッチに必要な動作電圧の第2の電源電圧か第2の接地電圧を供給する共通ソース線Gsを接続し、第2のスイッチ対Q1,Q2に、共通のデータ線対CD1,/CD1を接続し、第2のスイッチ対は、複数のメモリアレイのビット線対D,/Dの電位でオン抵抗が制御され、ビット線対と共通のデータ線対とは、電気的に分離されるよう接続し、非選択期間は、非選択メモリアレイに対応する共通ソース線と共通データ線を第2か第3のプリチャージ電位にするプリチャージ回路3と、選択メモリアレイに対応する共通ソース線に第2の接地電圧か第2の電源電圧を結合させるスイッチを具備した。

請求項（抜粋）：

アドレス選択用トランジスタと情報記憶用キャパシタとからなる複数のメモリセルがビット線とワード線の交差点にマトリクス配置されて構成された複数のメモリアレイと、前記ビット線を第1のプリチャージ電位にプリチャージさせるプリチャージ回路と、前記複数のメモリアレイのうち前記アドレスに対応して実質的に選択すべきメモリセルが存在するメモリアレイに対してのみそのワード線の選択動作を行うワード線選択回路及びその増幅動作を行うセンスアンプ回路及びその選択回路と、前記センスアンプ回路の増幅動作に必要な動作電圧である第1の電源電圧あるいは第1の接地電圧を供給する手段を有したダイナミックRAMの読み出し回路であって、共通のデータ線選択信号により制御される第1のスイッチと、その第1のスイッチとは共通に、直列に接続された第2のスイッチ対を有し、前記第1のスイッチには、前記第1のスイッチの動作に必要な動作電圧である第2の電源電圧あるいは第2の接地電圧を供給する共通ソース線を接続し、他方、前記第2のスイッチ対には、前記共通のデータ線対をそれぞれ接続し、前記第2のスイッチ対はそれぞれ、前記複数のメモリアレイのビット線対の電位によってオン抵抗が制御され、かつ、前記ビット線対と前記共通のデータ線対とは、常に電気的に分離されるように接続し、また、非選択期間において、その非選択メモリアレイに対応する前記共通ソース線と共通データ線をそれぞれ第2あるいは第3のプリチャージ電位にプリチャージするプリチャージ回路と、選択メモリアレイに対応する前記共通ソース線に前記第2の接地電圧あるいは第2の電源電圧を結合させるスイッチを具備したことを特徴とするダイナミックRAMの読み出し回路。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-273594
特開昭62-001183
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-282773 出願人：三菱電機株式会社

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