フィールド形成領域を有する半導体構成素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571497
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525872
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】本発明は、第1の導電型の半導体部(1)を備え、その中に第2の導電型の少なくとも1つのゾーン(4)が埋め込まれている半導体構成素子に関する。このゾーン(4)は間隔を置いて第2の導電型の領域(7)によりウェル状に取り囲まれており、その際、この領域(7)は少なくとも1箇所で半導体部(1)の通路(8)により中断され、かつ遮断時にこの領域は空乏化されない程度に高くドープされている。

請求項（抜粋）：

5×1013電荷キャリアcm-3を上回るドーピング濃度を示す第1の導電型の半導体部(1)を備え、かつ2つの相互に反対側の面にそれぞれ少なくとも1つの電極(A、K)が設けられており、その際、電極(A)の少なくとも1つは、第1の導電型とは反対の第2の導電型の半導体ゾーン(4)と接続する半導体構成素子において、半導体部(1)中に第2の導電型のゾーン(4)に対して間隔を置いて第2の導電型のゾーン(4)をウェル状に取り囲みかつそれぞれ少なくとも1箇所で半導体部(1)の通路により中断された第2の導電型の領域(7)が配置されており、かつ第2の導電型の領域(7)は、第2の導電型のゾーン(4)と半導体部(1)との間に形成されるpn接合の遮断時に電荷キャリアに関して完全には空乏化されない程度に高くドーピングされていることを特徴とする半導体構成素子。

IPC (3件)：

H01L 29/744 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 654

FI (3件)：

H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 654 B , H01L 29/74 C

Fターム (3件)：

5F005AC03 , 5F005AE07 , 5F005AF02

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-293966 出願人：株式会社東芝

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