半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293966
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191109
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、高耐圧であってもオン状態での電圧降下の低下を図る。【解決手段】第1の主電極(12)と、第2の主電極(22)と、前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に介在して設けられた高抵抗の第1導電型半導体層(13,15,17)と、前記第1の主電極と第2の主電極とを結ぶ方向とは略直交する層であって、電流経路となる複数の間隙を有し、第1の主電極付近から伸びる空乏層が達したときに半導体装置本体のどの電極とも異なる電位となる、前記第1導電型半導体層中に選択的に形成された第2導電型埋込み層(14,16)とを備えた半導体装置。

請求項（抜粋）：

第1の主電極と、第2の主電極と、前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に介在して設けられた高抵抗の第1導電型半導体層と、前記第1の主電極と第2の主電極とを結ぶ方向とは略直交する層であって、電流経路となる複数の間隙を有し、前記第1の主電極付近から伸びる空乏層が達したときに半導体装置本体のどの電極とも異なる電位となる、前記第1導電型半導体層中に選択的に形成された第2導電型埋込み層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

FI (4件)：

H01L 29/78 654 B , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 654 C , H01L 29/78 655 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-243910 出願人：株式会社東芝
高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-188855 出願人：株式会社東芝

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