特許
J-GLOBAL ID：200903056071641202
半導体構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-289496
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231084
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】 量子井戸構造と同等以上の光学特性を量子箱と同様の構造で得られるようにするため、キャリヤ閉じ込め層として微細な高密度島領域が形成できるようにすることを目的とする。【構成】 化合物半導体の(100)面、(111)面などの低指数面から傾いた面を持つ高指数面基板11と、その上に形成された半導体バリア層12と、この半導体バリア層2に取り囲まれ、歪み量子井戸薄膜14とこの上の歪み量子井戸膜14より相対的に膜厚の厚い微細な島15とからなり、歪みを内在する半導体層からなるキャリヤ閉じ込め層13とから構成されている。
請求項（抜粋）：
化合物半導体からなる基板上に形成された半導体バリア層と、この半導体バリア層上に形成され、互いに離間して配置され他の部分より膜厚の厚い複数の島とこれらの島の間に配置された前記各島よりも膜厚の薄い量子井戸からなる半導体キャリヤ閉じ込め層と、この半導体キャリヤ閉じ込め層上に形成された半導体バリア層とを含むことを特徴とする半導体構造。
IPC (3件)：
H01L 29/06
, H01L 29/66
, H01S 3/18
