特許
J-GLOBAL ID:200903056101438210
半導体集積回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-313457
公開番号(公開出願番号):特開平11-142722
出願日: 1997年11月14日
公開日(公表日): 1999年05月28日
要約:
【要約】【課題】回路の実装面積の縮小を達成しながら、IC内で行われるアナログ演算をICの温度変化に依存しないように正確に行って、簡単かつ低コスト、高性能の半導体集積回路を提供する。【解決手段】ディジタル演算処理を行なうための、発振回路11を含むディジタル回路ブロック(熱源部20)と、ディジタル回路ブロックが形成された半導体集積回路基板上に形成され、焦点調節に関連するAF信号処理回路を含み、アナログ演算処理を行なうアナログ回路ブロック(アナログ微少信号処理部21)と、AF信号処理回路の近傍に設けられ、半導体集積回路基板の温度を測定する温度測定回路7a、7bとを具備し、AF信号処理回路とクロック発振回路とを、半導体集積回路基板の対角線方向において互いに離間配置すると共に、測温結果に応じてディジタル回路ブロックがアナログ回路ブロックの出力を補正する。
請求項(抜粋):
ディジタル演算処理を行なうための、クロック発振回路を含むディジタル回路ブロックと、上記ディジタル回路ブロックが形成された半導体集積回路基板上に形成され、焦点調節に関連するAF信号処理回路を含み、アナログ演算処理を行なうアナログ回路ブロックと、上記AF信号処理回路の近傍に設けられ、上記半導体集積回路基板の温度を測定する測温回路と、を具備し、上記AF信号処理回路と上記クロック発振回路とを、上記半導体集積回路基板の対角線方向において互いに離間配置すると共に、測温結果に応じて上記ディジタル回路ブロックが上記アナログ回路ブロックの出力を補正することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (7件):
G02B 7/32
, G02B 3/00
, G02B 7/28
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, G01B 11/00
, G01C 3/06
FI (6件):
G02B 7/11 B
, G02B 3/00 A
, G01B 11/00 B
, G01C 3/06 A
, G02B 7/11 N
, H01L 27/04 A
引用特許:
審査官引用 (1件)
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MOS構造の測距装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-136149
出願人:オリンパス光学工業株式会社
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